تراشه های ۳ نانومتری از سال ۲۰۲۲ تولید می شوند
به گزارش خبرنگار حوزه دریچه فناوری گروه فضای مجازی باشگاه خبرنگاران جوان، امسال شرکت TSMC با استفاده از فناوری گره تراشه های ۵ نانومتری خود را تولید کرد. اولین گوشی های هوشمند که با تراشه ۵ نانومتری ساخته شدند، سری Apple iPhone ۱۲ بودند که از چیپست A۱۴ Bionic بهره می برد. شرکت اپل همچنین این تراشه را در iPad Air به کار برده است. تراکم ترانزیستور ۵ نانومتریA۱۴ Bionic ، ۱۳۴ میلیون ترانزیستور در هر میلی متر مربع است؛ در مقابل تراکم ترانزیستوری در ۷ نانومتری A۱۳ Bionic تعداد ۸۹/۹۷ میلیون در هر میلی متر مربع است. تعداد ترانزیستور برای A۱۴ Bionic تعداد ۱۱/۸ میلیارد است که در A۱۳ Bionic مقدار آن ۸/۵ میلیارد ترانزیستور است. ترانزیستورهای اضافی موجود در A۱۴ Bionic آن را به یک عملکرد قدرتمندتر و دارای انرژی بیشتر نسبت به A۱۳ Bionic تبدیل می کند.
بیشتر بخوانید
تراشه A۱۶ Bionic اولین تراشه ساخته شده در گره فرآیندی ۳ نانومتری
تولیدکنندگان تلفن های اندرویدی تراشه های ۵ نانومتری خود را برای استفاده با Snapdragon ۸۸۸ یا Exynos ۲۱۰۰ تولید می کنند. هر دو با استفاده از گره ۵ نانومتری و توسط Samsung Foundry تولید می شوند. سری جدید Galaxy S۲۱ سامسونگ بسته به منطقه ای که دستگاه از آن خریداری شده تراشه متفاوت خواهد داشت. در همین حال Digitimes امروز گزارش داد که TSMC تولید تراشه های ۳ نانومتری خود را از نیمه دوم سال جاری آغاز می کند. مدیر عامل TSMC CC Wei گفت: توسعه فناوری N۳ ما پیشرفت خوبی دارد. ما شاهد سطح بالاتری از جذب مشتری برای HPC و برنامه تلفن های هوشمند در N۳ در مقایسه با N۵ هستیم. اگر TSMC این راه را ادامه بدهد، باید شاهد باشیم که آیفون ۱۴ اولین گوشی های اپل است که از تراشه هایی با گره فرآیند ۳ نانومتری بهره می برند. اولین تراشه A۱۶ Bionic خواهد بود. در ماه نوامبر گذشته TSMC تراشه ۳ نانومتری خود در پارک علمی جنوب تایوان تکمیل کرد. شرکت TSMC در ابتدا قصد داشت تولید آزمایشی ۳ نانومتری را در پایان سال ۲۰۲۰ آغاز کند، اما شیوع بیماری کرونا، TSMC را مجبور کرد تا یک سال این پروژه را عقب بیندازد.
پیچیدگی فناوری مورد نیاز برای ساخت تراشه های ۳ نانومتری یکی از دلایل هزینه زیاد آن ها است. الگوهایی وجود دارد که محل قرارگیری ترانزیستورها درون تراشه را تعیین می کنند. با توجه به اینکه میلیاردها ترانزیستور در هر تراشه استفاده می شود، این خطوط باید تا حد ممکن نازک باشند. اینجا است که دستگاه لیتوگرافی EUV وارد عمل می شود. شرکت TSMC برای تراشه های ۳ نانومتری خود از ترانزیستورهای FinFET استفاده می کند. این در حالی است که سامسونگ از GAA استفاده می کند. برای تولید تراشه های ۲ نانومتری، TSMC از طرح GAA استفاده خواهد کرد. گزارش شده است که سامسونگ برای توسعه مدارهای ۳ نانومتری خود تقریبا ۱۱۶ میلیارد دلار هزینه کرده است. می توان تولید انبوه تراشه های ۲ نانومتری را از اوایل سال ۲۰۲۴ شاهد بود.
انتهای پیام/
بیشتر بخوانید
تراشه A۱۶ Bionic اولین تراشه ساخته شده در گره فرآیندی ۳ نانومتری
تولیدکنندگان تلفن های اندرویدی تراشه های ۵ نانومتری خود را برای استفاده با Snapdragon ۸۸۸ یا Exynos ۲۱۰۰ تولید می کنند. هر دو با استفاده از گره ۵ نانومتری و توسط Samsung Foundry تولید می شوند. سری جدید Galaxy S۲۱ سامسونگ بسته به منطقه ای که دستگاه از آن خریداری شده تراشه متفاوت خواهد داشت. در همین حال Digitimes امروز گزارش داد که TSMC تولید تراشه های ۳ نانومتری خود را از نیمه دوم سال جاری آغاز می کند. مدیر عامل TSMC CC Wei گفت: توسعه فناوری N۳ ما پیشرفت خوبی دارد. ما شاهد سطح بالاتری از جذب مشتری برای HPC و برنامه تلفن های هوشمند در N۳ در مقایسه با N۵ هستیم. اگر TSMC این راه را ادامه بدهد، باید شاهد باشیم که آیفون ۱۴ اولین گوشی های اپل است که از تراشه هایی با گره فرآیند ۳ نانومتری بهره می برند. اولین تراشه A۱۶ Bionic خواهد بود. در ماه نوامبر گذشته TSMC تراشه ۳ نانومتری خود در پارک علمی جنوب تایوان تکمیل کرد. شرکت TSMC در ابتدا قصد داشت تولید آزمایشی ۳ نانومتری را در پایان سال ۲۰۲۰ آغاز کند، اما شیوع بیماری کرونا، TSMC را مجبور کرد تا یک سال این پروژه را عقب بیندازد.
پیچیدگی فناوری مورد نیاز برای ساخت تراشه های ۳ نانومتری یکی از دلایل هزینه زیاد آن ها است. الگوهایی وجود دارد که محل قرارگیری ترانزیستورها درون تراشه را تعیین می کنند. با توجه به اینکه میلیاردها ترانزیستور در هر تراشه استفاده می شود، این خطوط باید تا حد ممکن نازک باشند. اینجا است که دستگاه لیتوگرافی EUV وارد عمل می شود. شرکت TSMC برای تراشه های ۳ نانومتری خود از ترانزیستورهای FinFET استفاده می کند. این در حالی است که سامسونگ از GAA استفاده می کند. برای تولید تراشه های ۲ نانومتری، TSMC از طرح GAA استفاده خواهد کرد. گزارش شده است که سامسونگ برای توسعه مدارهای ۳ نانومتری خود تقریبا ۱۱۶ میلیارد دلار هزینه کرده است. می توان تولید انبوه تراشه های ۲ نانومتری را از اوایل سال ۲۰۲۴ شاهد بود.
انتهای پیام/
AI Chatbot
💬 Hi! Want to know more about “تراشه های ۳ نانومتری از سال ۲۰۲۲ تولید می شوند”? I’m here to guide you.