به گزارش خبرنگار علمی خبرگزاری تسنیم؛ شرکت IBM از نخستین تراشه ۲ نانومتری جهان رونمایی کرد که تحولی برای صنعت نیمه هادی ها در جهان محسوب می شود؛ این تراشه ۲ نانومتری می تواند با یک چهارم انرژی، عمر باتری را چهار برابر کند.

این طراحی جدید می تواند تا ۵۰ میلیارد ترانزیستور را در یک تراشه به اندازه یک ناخن جای دهد که به گفته مدیر تحقیقات IBM، این امر برای صنعت نیمه هادی ها یک انقلاب بزرگ است؛ رکورد قبلی این شرکت که در سال ۲۰۱۷ بیرون آمد ۳۰ میلیارد تراتزیستور در چیپی بود که براساس نانوچیپ های ۷ نانومتری ساخته شده بود؛ این شرکت ادعا کرده است که با طراحی جدید می تواند ۴۵ درصد عملکرد مطلوب و ۷۵ درصد مصرف انرژی کمتری نسبت به تراشه های با استفاده از فرایند ۷ نانومتری را بدست آورد.

این اطلاعات به این معناست که عمر باتری های تلفن همراه با این روش چهار برابر بیشتر خواهد شد و سرعت بخشیدن به تشخیص اشیا در اتومبیل های خودران و بهبود سرعت و کارایی لپتاپ ها نیز از جمله مزایای ورود این تراشه به دنیای نیمه هادی ها است؛ IBM توانست با استفاده از ورق های نانوی انباشته Gate-All-Around (GAA) به این فرآیند جدید دست یابد.

۲ نانومتر برای صنعت نیمه هادی کمترین سطح (به روش خوب) است؛ تولیدکننده «TSMC» در حال حاضر یک فرآیند ۵ نانومتری ارائه می دهد و در حال حاضر در حال تحقیق درباره تولید ۲ نانومتر است و سامسونگ نیز در اوایل سال جاری تراشه ۳ نانومتری خود را به نمایش گذاشت.

البته نباید انتظار داشت که تراشه ها با استفاده از فرایند ۲ نانومتر به سرعت در دسترس کاربران قرار بگیرند چراکه این طرح احتمالا ابتدا به کارخانه های مراکز داده راه پیدا خواهد کرد و ورود این چیپ ها به محصولات دیجیتال مصرفی مانند لپ تاپ ها و گوشی های هوشمند احتمالا چند سالی زمان خواهد برد.